)调节器而言或者说任何电路，噪声源都可大致分为两大类：内部噪声和外部噪声。

  例如，一个开关电源在3 MHz时具有十分显着的输出电压纹波，假如它为之供电的电路仅有几Hz的带宽，如温度传感器等，则该纹波或许不会产生任何影响。可是，假如该开关电源为RF

  为了成功规划一个鲁棒的体系，了解噪声源至关重要。就低压差(LDO)调节器而言或者说任何电路，噪声源都可大致分为两大类：内部噪声和外部噪声。

  关于电子电路，内部噪声是指任何电子器材内部产生的噪声，外部噪声则是指从电路外部传到电路中的噪声。

  内部噪声有许多来历，各种噪声源都有自己绝无仅有的特性。内部噪声首要有以下几类：热噪声、1/f噪声、散粒噪声、爆裂或爆米花噪声。图2显现了一个典型器材的噪声怎么随频率而改变，以及各类噪声对总噪声的奉献。从1/f区到热区的跃迁点称为转机频率。

  在肯定零度以上的任何温度，导体或半导体中的载流子(电子和空穴)会产生扰动，这便是热噪声(亦称约翰逊噪声或白噪声)的来历。热噪声功率与温度成份额。它具有随机性，因而不随频率而改变。热噪声是一个物理进程，能够经过下式核算：

  B表明观察到噪声的带宽(单位Hz，电阻上测得的均方根电压也是做丈量的带宽的函数)

  1/f 噪声来历于半导体的外表缺点，声功率与器材的偏置电流成正比，而且与频率成反比，这一点与热噪声不同。即便频率很低，该反比特性也建立，但是，当频率高于数kHz时，联系曲线/f 噪声也称为粉红噪声，由于其权重在频谱的低端相对较高。

  1/f 噪声首要依据器材几许形状、器材类型与半导体资料，因而，要创立其数学模型极端困难，一般运用各种情况的经历测验来表征和猜测1/f噪声。

  一般来说，具有埋入结的器材，如双极性晶体管和JFET等，其1/f 噪声往往低于MOSFET等外表器材。

  散粒噪声产生在有势垒的当地，例如PN结中。半导体器材中的电流具有量子特性，电流不是接连的。当电荷载子、空穴和电子跨过势垒时，就会产生散粒噪声。像热噪声相同，散粒噪声也是随机的，不随频率而改变。

  爆米花噪声是一种低频噪声，好像与离子污染有关。爆米花噪声表现为电路的偏置电流或输出电压忽然产生偏移，这种偏移继续的时刻很短，然后偏置电流或输出电压又忽然回来其原始状况。这种偏移是随机的，但好像与偏置电流成正比，与频率的平方成反比(1/f2)。

  爆裂噪声和爆米花噪声相同，也是一种低频噪声，好像与离子污染有关。但由于现代半导体工艺技术的洁净度十分高，爆裂噪声简直现已被消除，不再是器材噪声的一个首要因素。

   来自其他电路，经过电源或规划欠安的PCB布局布线传导或辐射到电路中的噪声。